Transistores

Transistores gy litytu ‘IOR6pR 16, 2011 g pagos 1 . -¿Qué es un transistor bipolar de juntura y porque se llama as’? El transistor de unión bipolar es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre SI, que permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre llos su impedancia de entrada bastante baja. . -¿Qué son los parámetros beta y alfa y como se relacionan entre si? La ganancia de corriente emisor común está representada por PF o por hfe. Esto es aproximadamente la tasa de corriente continua de colector a la corriente continua de la base en la región acti ora 100. Otro parámetro po base común, aF. La g ancia aproximadamente la colector en la región te mayor a ia de corriente e comun es sde emisor a usualmente tiene un valor cercano a la unidad; que oscila entre 0. 98 y 0. 98.

El Alfa y Swlpe to vlew next page Beta están más precisamente determinados por las siguientes relaciones (para un transistor NPN): 3. -Dibuje los símbolos del transistor diferenciando entre NPN y PNP, así como sus terminales. NPN 4. -Dibuje y explique el amplificador tipo Darlington. Esta configuración sirve para que el dispositivo sea capaz de proporcionar una gran ganancia de corriente y, al poder estar todo integrado, requiere menos espacio que dos transistores normales en la misma configuración. a ganancia total del

Darlington es el producto de la ganancia de los transistores individuales. Un dispositivo típico tiene una ganancia en corriente de 1000 0 superior. También tiene un mayor desplazamiento de fase en altas frecuencias que un único transistor, de ahí que pueda convertirse fácilmente en inestable. La tensión base- emisor también es mayor, siendo la suma de ambas tensiones base-emisor, y para transistores de silicio es superior a 1. 2V. La beta de un transistor o par Darlington se halla multiplicando las de los transistores individuales. intensidad del colector se halla multiplicando la intensidad de la base por la beta total. Si Pl y P2son suficientemente grandes, se da que: Un inconveniente es la duplicación aprox total. Un inconveniente es la duplicación aproximada de la base-emisor de tension. Ya que hay dos uniones entre la base y emisor de los transistores Darlington, el voltaje base-emisor equivalente es la suma de ambas tensiones base-emisor: g. – Investigue en los manuales las características de los siguientes transistores. Bc548: Vce=40 Vcb=60 Veb=6v Ic=600mA Bc558. e=80v vcb=80v veb-5v Ic=800mA BC547: vce=40v VCb=60V veb=6V Ic=600mA TIP41: Vce=70v Vcb=80v Veb=5v Icc=7 A Icp=10A Ib=3A TIP41: vceo=130v vcex=120 vcb=130v veb=sv Ic=4A Ib=2A UNIVERSIDAD NACIONAL AUTONOMA DE MEXICO FACULTAD DE ESTUDIOS SUPERIORES «ARAGON» INGENIERIA EN COMPUTACION Laboratorio de dispositivos electrónicos unes 13. 30 a 15. 30 Trabajo de Casa practica 7 «Transistor Bipolar de Juntura (TBJ) P. 1» Alumnos Hernández Cortez Carlos Hernández Tapia Marie Mayela adón Veloz Miguel Ángel ópez Moreno Juan Carlos Prof: Luna Escorza Pablo Prócoro 31_1f3